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Blue Enhanced Response, 5.1mm2, Silicon Detector

Silicon Photodiodes

Silicon Photodiodes

Stock #53-378
€36,00
Cant. 1-5
€36,00
Cant. 6
€31,00
Precio por Volumen
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Type:
Unbiased
Note:
Blue Enhanced Response
Protective Window:
Quartz
Operating Temperature (°C):
-40 to 100
Responsivity @ 410nm (A/W):
0.2
Noise Equivalent Power NEP (W/ Hz1/2):
5.2 x 10-14
Detectivity (cmHz1/2/W):
4.34 x 1012 @ 0 V, 410nm
Shunt Resistance (MΩ):
150.00
Active Area (mm2):
5.1
Package:
TO-5
Length of Leads (inches):
1.5
Outer Diameter (inches):
0.36
Rise Time (μs):
0.2 @ 0 V/50 Ω, 410nm
Saturation Current, Isat (mA):
2.0
Terminal Capacitance (pF):
450 @ 0 V
Typical Applications:
Low light levels, wide spectral bandwidth response

Regulatory Compliance

RoHS 2015:

Product Family Description

A través del efecto fotovoltaico los detectores de silicio transforman energía luminosa en corriente eléctrica. La base teórica de este fenómeno radica en la diferencia de energía entre la banda de valencia y la banda de conducción del detector. Cuando luz con suficiente energía para excitar un electrón de la banda de valencia a la banda de conducción incide en el detector, la acumulación resultante de carga resulta en la transmisión de corriente a un circuito externo. Puesto que la luz no es la única fuente de energía que puede excitar un electrón, los detectores tendrán una cantidad residual de corriente que no proviene de la luz incidente. Por ejemplo, fluctuaciones en energía térmica pueden ser fácilmente confundidas con cambios en la intensidad de luz. Estas contribuciones no debidas a la luz están presentes y al acumularse forman el ruido total dentro del detector.

El índice señal/ruido (S/N) puede ser utilizado para determinar si el nivel de ruido es problemático en una aplicación dada. El nivel de ruido es un factor importante a considerar pero no es el único factor de importancia al elegir un detector. Algunas características clave a la hora de seleccionar el detector aparecen definidas en nuestro catálogo.

Diferentes Modos de Operación

Fotovoltaico (PV) (unbiased): En operación PV, no se aplica un voltaje establecido al fotodiodo. Puesto que la corriente oscura es función de la corriente aplicada, la operación PV elimina la corriente oscura como fuente de ruido. En este caso el NEP será menor permitiendo mayor sensitividad a longitudes de onda más bajas. Esto permite la detección de señales débiles. Sin emabrgo la responsividad será más baja a longitudes de onda mayores (vea curva).

Fotoconductiva (PC) (biased): En operación PC la aplicación de una corriente inversa sobre el fotodiodo resulta en un número de ventajas, como por ejemplo un tiempo de respuesta más rápido. Esto hace que este tipo de operación sea preferible en aplicaciones de alta frecuencia. La desventaja es que la corriente oscura se incrementa por lo que se introduce ruido en el sistema.

Para #57-511 & #57-512: La carcasa es más pequeña que en una montura estándar TO-5. El diámetro exterior máximo es 0.187", mientras que en un TO-5 típico es 0.36".

Para #53-374: La carcasa es más grande que en una montura estándar BNC. El diámetro exterior máximo es 1.675", mientras que en un BNC típico es 0.975".

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